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英特爾陳立武:記憶體晶片吃緊將持續至2028年 攜手軟銀布局ZAM
英特爾執行長陳立武直言,全球記憶體晶片供應吃緊的情況短期內難以紓解,甚至可能延續到2028年。(圖/路透社)
▲英特爾執行長陳立武直言,全球記憶體晶片供應吃緊的情況短期內難以紓解,甚至可能延續到2028年。(圖/路透社)
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英特爾(INTC)執行長陳立武週二(3日)示警,全球記憶體晶片供應吃緊的情況恐將持續多年,短期內難以紓解。他轉述多家主要記憶體製造商的看法指出,在生成式AI高速擴張帶動下,整體供需失衡至少要到2028年才有機會出現明顯改善,記憶體短缺已成科技產業長期結構性問題。

根據《CNBC》報導,陳立武在「思科AI高峰會」(Cisco AI Summit)上表示,近期與兩家關鍵記憶體供應商交流後,對方直言供應緊張狀態「至少到2028年之前都不會紓解」。他強調,AI是當前記憶體產業面臨的「最大挑戰」,龐大的模型訓練與推論需求,正快速吞噬原本供應給個人電腦與伺服器的記憶體資源;並點名輝達(NVDA)最新Rubin平台與後續世代AI處理器,勢必進一步拉高高頻寬記憶體用量,直言「AI將吸收大量的記憶體」,使供應壓力持續向上。

在產業布局方面,陳立武透露,英特爾正積極推進GPU發展,並已成功延攬新任首席GPU架構師,相關計畫將與資料中心晶片業務及晶圓代工服務緊密整合。他坦言,關鍵人才招募並不容易,但對新成員的加入感到振奮。

同日,日本軟銀集團旗下新創公司Saimemory與英特爾宣布,雙方已簽署合作協議,將共同開發針對AI與高效能運算的次世代記憶體技術「Z角度記憶體」(Z-Angle Memory,ZAM),目標是在2028財年前完成原型,並於2029財年推動商業化,鎖定資料中心與大型AI模型訓練、推論等高負載應用。

《日經新聞》指出,ZAM主打高容量、高頻寬與低功耗,目標將能耗較現行產品降低一半,且成本有望低於HBM。英特爾政府科技部門技術長弗萊曼(Joshua Fryman)表示,傳統記憶體架構已難以滿足AI需求,英特爾將透過新架構與鍵合技術,提升DRAM效能與能源效率,又能降低功耗與成本,強調「能夠研發比HBM更便宜的記憶體」,可望在未來十年更容易被廣泛採用;SAIMEMORY社長山口秀哉則表示,「就某種意義來看,這是破壞性的挑戰」。市場解讀,在AI帶動算力與記憶體需求同步飆升下,具備能效優勢的次世代記憶體,將成為資料中心升級與半導體產業競逐的關鍵戰場。

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