隨著AI算力需求不斷飆升，輝達（NVDA）啟動「電力大革命」，將AI伺服器晶片輸出電壓規格從54V大幅拉升至800V，且未來將導入碳化矽（SiC）元件升級電力系統，以進一步提升效能。今（12）日第三代半導體概念股全面點火，SiC族群領頭衝鋒，漢磊、嘉晶、合晶、尼克森、茂矽、台亞、大中7檔同步漲停，備受市場矚目。

外傳輝達Rubin新一代處理器將把矽中介層材料升級為碳化矽，並推動800V高壓直流（HVDC）資料中心架構，目標於2027年全面量產。輝達創辦人黃仁勳曾指出，AI伺服器耗電將從千瓦級一舉躍升至百萬瓦級，電力需求暴增近百倍，使SiC成為電源廠的關鍵材料。業者正積極將SiC功率元件（MOSFET／二極體）導入伺服器與資料中心的電源供應器（PSU）及HVDC模組，相關製程技術的重要性因此倍受關注。台廠中，漢磊、嘉晶已具備第四代SiC平面型MOSFET製程平台技術，環球晶則掌握SiC晶圓技術，皆鎖定AI電源需求商機，有望成為未來供應鏈要角。

合晶今年重返國際半導體展（SEMICON Taiwan），除展示全系列矽晶圓產品外，更聚焦近年積極布局的氮化鎵磊晶晶圓，並成立子公司「合晶寬能」專攻該領域，其氮化鎵產品已獲主要客戶驗證並小量出貨，鎖定AI資料中心高階DC to DC電源轉換器市場應用；同時展開擴產計畫，短期目標在2026年第一季新增月產能2000片，中期提升至5000片，長期則規劃達到月產能1萬片，以因應AI伺服器對高效能電源快速攀升的需求。

台亞集團也全力搶進這片新藍海，動員旗下和亞智慧、積亞半導體與冠亞半導體等子公司，瞄準伺服器電源、功率半導體市場，展現營運成果與技術突破。在此次半導體展中，台亞大秀技術肌肉，積亞聚焦SiC功率元件晶圓代工，涵蓋SBD與MOSFET，應用廣及伺服器、工控、電動車、充電樁、太陽能及儲能設備。台亞副董事長戴圳家表示，儘管功率元件短期市況受中國政策干擾，但長期仍將高速成長，未來集團將透過積亞與冠亞的技術整合與策略布局，持續強化在功率半導體市場的領導地位，並拓展全球合作機會。

第三代半導體族群掀起多頭行情，漢磊衝上漲停價57.2元，重返5日線，盤中成交量爆2.7萬張，委買張數逾2600張；合晶漲停來到27.1元，站上5日線及年線，寫下3月7日以來新高，成交量達1.3萬張，高掛5600多張排隊等買；台亞跳空躍上24.8元，收復5日線、10日線及月線，爆量1.5萬張，委買張數達2200張；嘉晶漲停達44.7元，收復5日線。尼克森、茂矽、大中也齊奔漲停，環球晶、太極大漲7～8%，中美晶、強茂則漲5～6%，穩懋勁揚逾3%。