摩根士丹利最新報告指出，高頻寬記憶體（HBM）市場正進入新一波競爭潮，且製程逐步轉向先進技術，整體DRAM因AI需求推升高效能記憶體市場而成長。在此背景下，大摩看好華邦電，給予「優於大盤」評等，目標價定在30元。受此激勵，華邦電今（27）日股價強勢拉升逾6%，再度站回20元大關，寫下7月2日以來新高，成交量達8.2萬張，一舉躍升排行榜第二大。

大摩表示，HBM市場供給條件已大幅轉向有利買方，但隨著明年起價格競爭加劇，廠商面臨挑戰，長期營收成長可能被高估，原因在於HBM相較一般DRAM的溢價正逐步收斂。HBM以DRAM製程打造的基底晶片，正逐步轉向先進製程，將使得IP設計、ASIC及先進晶圓代工廠更具優勢。觀察DRAM市場周期，大摩認為其循環性仍明顯，尤其關稅刺激的庫存囤積潮過去後，若產能規劃失誤，今年第四季至明年第二季可能出現價格修正。至於HBM4認證時程尚不確定，台積電「Rubin」晶片預計10月問世，而三星極有可能在明年提高HBM市占率，目前市場預期價格競爭已部分反映。

大摩認為，華邦電DRAM與SLC NAND具較強定價能力，在HBM未來趨勢尚不明朗的情況下更具競爭優勢，看好其45奈米NOR營收持續成長，SLC NAND則預期於今年下半年持續漲價；24奈米SLC NAND製程已開始初期出貨，並將在明年貢獻業績。今年第二季，華邦電記憶體產能利用率提升至約90%，預估今年記憶體資本支出約48億元，其中70%投入前段製程設備，並同步擴張Flash產能及CMS製程升級，目前高雄廠月產能已達1.5萬片晶圓。

此外，其餘DRAM台廠中，愛普*、群聯同樣具備競爭優勢，因此亦評為「優於大盤」；相比之下，對南亞科、力積電看法則較為保守，維持「中立」評等。

以華邦電股價高點20元來看，相較於大摩給出的目標價30元，仍有5成的潛在上漲空間。觀察三大法人籌碼面動向，外資連2日買超，敲進1萬9382張，光是昨日就入手9798張，高居當日外資買超第二名；自營商同步站在買方，連2日買超2375張；惟投信連2日小幅賣超。