三星電子最新一代高頻寬記憶體（HBM4）傳出重大進展。據業界消息指出，三星於上月送樣給輝達（Nvidia）的HBM4，已通過初步品質與可靠度測試，並在本月底進入「Pre-Production（PP）」階段，若最終測試順利，最快將於2025年11月至12月正式量產。

HBM4是三星第六代高頻寬記憶體產品，具備高速傳輸與低功耗特性，為AI伺服器與高效能運算（HPC）不可或缺的關鍵零組件。輝達身為全球AI晶片龍頭，對HBM產品的認證具有高度指標性，意味著三星有望藉此進一步打入AI供應鏈核心。

業內人士透露，三星此次送交的樣品，不僅在品質與良率方面獲得正面評價，也順利進入量產前的測試流程。產業分析認為若通過PP階段，量產將在年底前展開，對市場供給格局影響深遠。

目前HBM市場由SK海力士、美光與三星三強鼎立。由於AI需求爆發，先前HBM3E產品已出現供不應求，下一代HBM4的市場期待度更高。

市場分析師指出，三星若能搶先量產HBM4，將有助於提升與輝達合作深度，縮小與競爭對手的差距。

同時，市場亦注意到三星電子會長李在鎔近期與輝達執行長黃仁勳的會面，外界認為，這些高層交流，應為雙方的合作鋪路，對HBM4導入進度產生正面影響。

法人表示，若2025年年底前順利量產，三星將在2026年迎來新一波營運動能，HBM4產品不僅能滿足AI伺服器的龐大需求，也將帶動上游供應鏈擴張。隨著高階記憶體成為AI硬體的核心戰場，HBM4的量產節奏將是觀察三星能否重奪市場主導權的關鍵指標。

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