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股市現場
連虧11季!南亞科Q2虧損倍增至-41.09億元 Q4拚轉盈
南亞科今(10)日舉行法說會,同步公布第二季財報。(圖/非凡新聞資料照)
▲南亞科今(10)日舉行法說會,同步公布第二季財報。(圖/非凡新聞資料照)
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記憶體大廠南亞科今(10)日召開法說會,並公布第二季財報,在DRAM價格持續低迷,與新台幣升值造成匯損雙重衝擊下,認列業外匯兌損失11.24億元,導致稅後虧損大增1.1倍,擴大至-41.9億元,已長達11季慘繳出赤字成績,EPS落在-1.32元。

雖然第二季DRAM平均售價下滑中個位數百分比,但銷售量強勁反彈,大幅季增超過7成,推升營收達105.26億元,季增46.4%,創下近11季新高。不過,在價格壓力未解情況下,導致毛利率轉負至-20.6%,季減5.6個百分點;營業淨損達45.01億元,淨利率-42.8%,較上季改善1.1個百分點。其中,因新台幣大幅升值,產生11.24億元匯兌損失,進一步加大虧損幅度,稅後淨損為41.09億元,淨利率-39%,EPS -1.32元,較上季的-0.63元翻倍,為連續第11季陷入虧損。

針對虧損顯著較上季增加,南亞科總經理李培瑛在法說會上坦言,第二季的DDR4價格直到6月才出現反彈,4、5月價格甚至較首季更疲弱,導致議價空間受限,毛利承壓。不過他強調,南亞科目前產能已滿載,DDR4產品比重已拉升至逾5成,預期第三季價格、銷量及庫存可大幅改善,有望成為營運轉折點,毛利率有信心轉正,但要由虧轉盈還要相當努力,大概要等到第四季才有機會正式擺脫虧損。

在技術與產品布局上,南亞科持續推進先進製程發展,已順利量產10奈米級第二代製程(1B)下的16Gb DDR5 5600與8Gb DDR4產品,並已開始送樣16Gb DDR5 6400;封裝技術方面,高階TSV與DDP也已通過工程驗證。此外,公司亦積極優化DDR4與LPDDR4供應配置,以因應市況變化。

展望下半年,南亞科看好出貨量、庫存與市況皆可望持續改善,有望帶動營運表現回升。AI資料中心帶動的高階記憶體需求持續成長,非AI市場也已在第二季底觸底回升。DRAM價格在6月止跌回穩,第三季合約價談判順利,加上公司產能滿載、庫存去化速度加快,整體營運動能可望明顯改善。

針對近期中國記憶體廠長鑫存儲擴產,李培瑛表示,長鑫主攻中國內需市場,且產品集中於DDR5與LPDDR5,與南亞科產品定位有所區隔,因此影響有限。至於各界關注的美國對等關稅風險,目前尚未觀察到客戶端有明顯反應,但會持續關注全球經濟與成本波動對市場可能造成的連動效應。

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