記憶體大廠南亞科今（10）日召開法說會，並公布第二季財報，在DRAM價格持續低迷，與新台幣升值造成匯損雙重衝擊下，認列業外匯兌損失11.24億元，導致稅後虧損大增1.1倍，擴大至-41.9億元，已長達11季慘繳出赤字成績，EPS落在-1.32元。

雖然第二季DRAM平均售價下滑中個位數百分比，但銷售量強勁反彈，大幅季增超過7成，推升營收達105.26億元，季增46.4%，創下近11季新高。不過，在價格壓力未解情況下，導致毛利率轉負至-20.6%，季減5.6個百分點；營業淨損達45.01億元，淨利率-42.8%，較上季改善1.1個百分點。其中，因新台幣大幅升值，產生11.24億元匯兌損失，進一步加大虧損幅度，稅後淨損為41.09億元，淨利率-39%，EPS -1.32元，較上季的-0.63元翻倍，為連續第11季陷入虧損。

針對虧損顯著較上季增加，南亞科總經理李培瑛在法說會上坦言，第二季的DDR4價格直到6月才出現反彈，4、5月價格甚至較首季更疲弱，導致議價空間受限，毛利承壓。不過他強調，南亞科目前產能已滿載，DDR4產品比重已拉升至逾5成，預期第三季價格、銷量及庫存可大幅改善，有望成為營運轉折點，毛利率有信心轉正，但要由虧轉盈還要相當努力，大概要等到第四季才有機會正式擺脫虧損。

在技術與產品布局上，南亞科持續推進先進製程發展，已順利量產10奈米級第二代製程（1B）下的16Gb DDR5 5600與8Gb DDR4產品，並已開始送樣16Gb DDR5 6400；封裝技術方面，高階TSV與DDP也已通過工程驗證。此外，公司亦積極優化DDR4與LPDDR4供應配置，以因應市況變化。

展望下半年，南亞科看好出貨量、庫存與市況皆可望持續改善，有望帶動營運表現回升。AI資料中心帶動的高階記憶體需求持續成長，非AI市場也已在第二季底觸底回升。DRAM價格在6月止跌回穩，第三季合約價談判順利，加上公司產能滿載、庫存去化速度加快，整體營運動能可望明顯改善。

針對近期中國記憶體廠長鑫存儲擴產，李培瑛表示，長鑫主攻中國內需市場，且產品集中於DDR5與LPDDR5，與南亞科產品定位有所區隔，因此影響有限。至於各界關注的美國對等關稅風險，目前尚未觀察到客戶端有明顯反應，但會持續關注全球經濟與成本波動對市場可能造成的連動效應。