聯電營運報告書出爐，與英特爾合作開發的12奈米FinFET製程技術平台進展順利。聯電董事長洪嘉聰指出，預計2026年完成製程開發並通過驗證；聯電也揭露封裝領域進展，晶圓級混合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支援邊緣及雲端AI應用。

全球半導體產業面臨多重挑戰，聯電2024年依然交出每股稅後純益3.8元的成績單，有鑑於陸系成熟製程廠商不斷開出產能，為避免走向競價商模，聯電轉型特殊製程及差異化應用，並為AI時代做好準備。聯電近日發布2024年年報及至股東營運報告書，揭示多項關鍵技術突破與營運成果。

聯電強調，與英特爾合作開發的12奈米FinFET製程技術平台，預計2026年完成製程開發並通過驗證，符合該公司設定2027年量產時程。有鑑於美國政府提升美國製造重要性，特別是半導體領域生產需求，市場解讀，這項合作更是聯電追求成本效益產能擴張及技術升級的重要策略，目前進展順利，對其商機持樂觀態度，並肯定聯電12奈米技術的競爭力。

在先進封裝技術方面，聯電利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding）實現尺寸微縮，已完成產品驗證，預計於今年進入量產；在邊緣AI方面，與供應鏈建立W2W 3D IC專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；並成功在矽中介層加入深溝槽電容（Deep Trench Capacitor, DTC），為2.5D封裝晶片提供電源完整性，已完成產品驗證並進入試產。

聯電去年資本支出約29億美元，主要用於台南Fab 12A、新加坡Fab 12i與中國Fab 12X的產能擴充，及各廠產品組合的優化。聯電強調，多元製造基地布局，成為該公司在地緣政治複雜變化中的競爭優勢，台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。

聯電去年研發支出156億元，除了前述12奈米平台外，還成功開發22奈米影像訊號處理器、28奈米嵌入式高壓低功耗製程平台及氮化鎵元件製程。

此外，值得注意的是，氮化鎵射頻開關元件製程進入量產，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元件製程及氮化鎵650V功率元件製程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。

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