美國晶片製造大廠英特爾宣布，已為第三方客戶做好準備18A製程，並將於今年上半年開始完成設計試產，比台積電2奈米的年底試產時程更早。對於英特爾率先將晶背供電技術導入18A製程，專家表示樂見，卻也指出良率方面仍存有疑慮，後續有待觀察。

CNBC主播(2025.02.19)：「據報導，博通有意收購英特爾的晶片設計與行銷業務。台積電則希望取得部分或完全控制其工廠或晶圓代工業務。」

才在先前傳出博通與台積電正分別評估，收購英特爾部分業務的可能性，英特爾宣布18A製程將於2025年上半年開始試產，領先台積2奈米年底的試產計劃。

根據英特爾官方網頁，18A最重要的創新之一，是透過PowerVia進行背面供電，可將標準單元利用率提高5%至10%；RibbonFET則可對電流進行更精細的控制，減少漏電。

國立陽明交通大學副教授謝易叡：「英特爾的18A 它引入了叫做背面供電的技術。這個技術是首次在半導體晶片製造上引入的一個技術。它可以大幅降低它的功耗。不過，實際等真正的晶片出來，才能得知它是否可以得到預期的效果。」

不過，根據BusinessInsider的報導，18A製程縱使有突破，短期內能給英特爾帶來的助益有限，且英特爾仍亟需資金挹注，正與Silver Lake洽商出售持有的Altera股票。

同時，專家也坦言，英特爾良率仍存有疑慮。

國立陽明交通大學副教授謝易叡：「英特爾它去年9月多的時候，傳出跟博通的18A試產計劃，因為良率太低而中止這件事情，使得我們對於英特爾的18A技術，在良率上會更為謹慎。一旦它可以成功地在18A獲取晶圓代工的客戶和產能之後，我們才會認為，它跟台積電可以一較高下。」

根據專家觀察，從數字上來看，台積電2奈米與英特爾 18A 的差距不大。其中，台積電2奈米在晶片中使用密度最高的記憶體——靜態隨機存取記憶體 SRAM方面技術較為領先。

不過，英特爾 18A 在技術節點上，仍稍微更先進一些，因此在政治層面，美國仍可宣稱，擁有全球最先進的半導體製造技術，從而減輕美國政府對英特爾的壓力。

然而，18A的良率是否能提升至足以穩定獲利的量產水準，仍有待觀察。（記者楊珩、邱文傑／台北採訪報導）