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非凡最前線
台積呼叫HBM神隊友 衝擊三星
AI三巨頭強強連手聚焦下一代高頻寬記憶體(HBM)技術的開發。圖/翻攝自網路。
▲AI三巨頭強強連手聚焦下一代高頻寬記憶體(HBM)技術的開發。圖/翻攝自網路。
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AI三巨頭強強連手,市場傳出,SK海力士將於9月台灣國際半導體展(Semicon Taiwan)時宣布與台積電、輝達更緊密的合作計劃,並聚焦下一代高頻寬記憶體(HBM)技術的開發,進一步掌握AI伺服器關鍵零組件。

Semicon Taiwan將於9月4日至6日召開,據消息指出,SK海力士社長金柱善將來台參加並首次發表專題演講。金柱善抵台後將與台積電高層會面,外傳輝達執行長黃仁勳有機會自美國專程來台,加入此次會談,進一步鞏固三方聯盟關係,建構AI半導體產業重要鐵三角。

三方合作核心將圍繞在HBM上,過往包括HBM3E(第五代HBM產品)都是基於SK海力士自身製程製造基礎裸片(base die),不過科技業者透露,HBM4將會開始採用台積電的先進邏輯(Logic)製程,以超細微製程之base die可以增加更多的功能,SK海力士也能在性能和功效等方面,滿足客戶的客製化(Customized)需求。

法人指出,雙方合作開發並生產HBM4,目標訂於2026年實現量產。其中,將以12FFC+(12nm級)及5奈米製程製造HBM4介面晶片,以實現更微小的互連間距,提升AI和高效能運算(HPC)處理器的記憶體性能。

另外,根據SK海力士的產品路線圖規劃,預計在2025下半年推出12層堆疊的HBM4、2026年推出16層堆疊,進一步提升功耗及資料傳輸速度,台積電也持續加強及擴大CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術產能,以支援HBM4的大規模量產。

SK海力士一直是輝達AI GPU高頻寬記憶體的獨家供應商,搭配2026年輝達計劃推出的Rubin系列,外界預估將正式採用HBM4 12Hi with 8 clusters for 1 GPU,三巨頭聯盟正在擴大其影響力,並拉大與三星的差距。

三星在先進製程晶圓代工市場已落後於台積電,如今在記憶體晶片領域同步面臨壓力。儘管三星正在加快HBM研發步伐,但在先進邏輯製程方面的劣勢可能迫使其重新考慮戰略,甚至加強尋求與其他公司合作的可能性。

※ 本文內容由《工商時報》授權刊載,未經同意禁止轉載。點選更多財經熱門新聞,追蹤 FBLine@

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