集邦科技最新報告預估，2024上半年由於消費性電子市場需求能見度仍不明朗，加上通用型伺服器資本支出仍受AI伺服器排擠而顯得相對需求疲弱，記憶體原廠對於DRAM與NAND Flash的減產策略將持續，尤其是虧損嚴重的NAND Flash，不過2023年基期已低，加上部分記憶體產品價格已至相對低點、預估明年DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別較2023上半年回升至13%及16%。

集邦表示，儘管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存並回到供需平衡，需仰賴供應商對產能有所節制，若供應商產能控制得宜，記憶體均價則有機會反彈。

PC方面，PC DRAM平均搭載容量年成長率約12.4%，主要預期2024年隨著搭載Intel新CPU Meteor Lake機種的量產，基於該平台僅支援DDR5與LPDDR5的特點，促使DDR5在2024下半年超越DDR4成為主流。此外，由於原廠透過大幅度減產維穩價格，一旦價格觸底反彈，將不利於後續搭載容量成長。

伺服器方面，Server DRAM平均搭載容量年成長率預估可達17.3%，主要受惠伺服器平台進入世代轉換、CSP部分業務對於CPU核心匹配RAM仰賴度提升，及AI伺服器算力負載量需求高等原因。至於伺服器品牌端，受惠NAND Flash價格大幅滑落，將持續推升16TB的搭載量，AI伺服器的幫助則不大。

集邦認為，智慧型手機方面因全球經濟疲軟，預估2024年產量年成長率僅約2.2%，是拖累需求位元成長主因。受惠記憶體價格連續幾季下滑，開啟品牌追求硬體上的提升，預估今年智慧型手機平均搭載容量年增約14.3%，明年因Mobile DRAM平均銷售單價仍處相對低點，估將延續此態勢，全年單機搭載容量有機會再成長7.9%。此外，隨著智慧型手機容量基期越來越高，加上蘋果暫無規畫高於1TB容量的iPhone機種，預估明年智慧型手機平均儲存容量年成長率約13%。